MOSFETs Sencillos

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Transistor, Polaridad Intensidad Drenador Continua Id Voltaje de Drenaje-Fuente Vds Resistencia de Activación Rds(on) Tensión Vgs de Medición Rds(on) Montaje de Transistor Tensión Umbral Vgs Diseño de Transistor Disipación de Potencia Pd Núm. de Contactos Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
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2N6661
2N6661 - MOSFET de Potencia, Canal N, 90 V, 900 mA, 3 ohm, TO-205AF, Agujero Pasante

14R8416

MOSFET de Potencia, Canal N, 90 V, 900 mA, 3 ohm, TO-205AF, Agujero Pasante

SOLID STATE

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Canal N 900mA 90V 3ohm 10V Agujero Pasante 1.5V TO-205AF 6.25W 3Pines 150°C -
2N6660
2N6660 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AF, Agujero Pasante

14R8415

MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AF, Agujero Pasante

SOLID STATE

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Canal N 1.1A 60V 2.7ohm 10V Agujero Pasante 1.5V TO-205AF 6.25W 3Pines 150°C -